NXP, 미 애리조나 주에 6인치 RF GaN 팹 오픈
5G RF 전력 증폭기 전용 생산 공장 중 가장 최첨단 시설
2020-09-29 온라인기사  /  편집부

NXP 반도체가 미국 애리조나 주 챈들러에 미국 내 5G RF 전력 증폭기 전용 생산공장 중 가장 최첨단 시설인 150 mm(6인치) RF 질화갈륨(GaN) 팹(Fab)을 오픈했다. 이 공장은 NXP의 전문성과 대량생산 노하우를 접목해 산업, 항공, 방산 시장에서 5G 기지국과 첨단 통신 인프라 확충을 지원하게 된다.



준공식을 기념하기 위해 NXP 경영진 외에도 애리조나 주 키어스틴 시네마(Kyrsten Sinema) 상원의원과 마사 맥샐리(Martha McSally) 상원의원, 그레그 스탠턴(Greg Stanton) 미국 연방 하원의원, 더그 듀시(Doug Ducey) 애리조나 주지사, 케빈 하트케(Kevin Hartke) 챈들러 시장, 조셉 셈사르(Joseph Semsar) 미 상무부 국제무역담당 차관보, 안드레 해스펠스(Andre Haspels) 주미 네덜란드 대사 등이 참석해 기조연설과 축사를 전했다. 

커트 시버스(Kurt Sievers) NXP 최고경영자(CEO)는 기조연설에서 "오늘은 NXP에 중대한 이정표가 되는 날”이라며 “애리조나에 이렇게 훌륭한 시설을 구축하고 핵심 인재를 활용함으로써 NXP가 차세대 5G 기지국 인프라를 견인하는 일환으로 GaN 기술에 집중할 수 있게 됐다"고 말했다.

5G에서는 안테나 당 요구되는 RF 솔루션 밀도가 기하급수적으로 증가했지만, 동일한 박스 크기를 유지하고 전력 소비량을 줄이는 것이 필수적이다. GaN 전력 트랜지스터는 이러한 필수 요건을 충족하기 위한 새로운 기준으로 떠오르면서 전력 밀도와 효율성을 모두 크게 개선하고 있다.

NXP의 오랜 고객사인 에릭슨(Ericsson)의 개발 유닛 네트워크 책임자인 요아킴 솔리우스(Joakim Sorlius)는 "에릭슨은 고객에게 최대의 가치를 제공하는 업계 선도적인 제품을 제공하기 위해 노력하고 있으며 전력 증폭기는 무선 기술에서 중요한 역할을 한다. 에릭슨의 최근 미국 투자와 마찬가지로, 미래 수요가 높은 무선 네트워크를 위한 RF 시스템 성능 향상에 지속적으로 초점을 맞춘 NXP의 미국 반도체 공정 개발 투자 행보를 기쁘게 생각한다."고 말했다.

NXP의 자체 GaN 팹 구축 전략은 셀룰러 인프라 설계 핵심 역량, 입증된 양산 실적, 전체 품질 공정에서의 일관성과 리더십을 활용하여 더 높은 성능 이점을 달성할 수 있는 능력에 기반해 추진됐다.

더그 듀시(Doug Ducey) 애리조나 주지사는 "챈들러에 있는 최첨단 신규 제조 시설을 통해 애리조나 주는 신기술의 제조 허브이자 5G 혁신의 선구자로서 명성을 확대할 것"이라며 "NXP가 애리조나 주에 일자리와 투자를 늘린 것에 감사한다"고 말했다.

이 자체 공장은 팹과 현장의 NXP R&D팀 간 협업을 촉진하는 혁신 허브 역할을 하게 된다. NXP는 자사 엔지니어들이 현재 및 미래 세대의 GaN 디바이스를 위한 기술을 더욱 신속하게 개발, 검증, 보호할 수 있으며, 결과적으로 NXP GaN 기술 혁신에 걸리는 시간을 단축할 수 있을 것으로 기대하고 있다.

챈들러에 위치한 NXP의 신규 GaN 팹은 인증을 받았으며, 초기 제품들이 시장에 출시됐고 올해 말에 전면 가동될 예정이다.

<저작권자(c)스마트앤컴퍼니. 무단전재-재배포금지>


  • 100자평 쓰기
  • 로그인



TOP