SiC power device solution for automotive application
	박경은 박사 FAE, 테크니컬센터, 로옴 세미컨덕터 코리아

Biography

박경은 박사는 로옴 세미컨덕터 코리아 테크니컬 센터에서 Automotive 분야 기술 지원 엔지니어로 근무하고 있다. 2021년 일본 동경공업대학에서 전기전자공학 반도체 소자 및 공정 분야 박사학위를 취득한 후, 로옴 세미컨덕터 코리아에 입사해 High power device application 업무를 수행하고 있다. 현재 IGBT, SiC MOSFET 및 IPM 등 Automotive 시장의 High power device 솔루션 전반의 기술 지원을 담당하고 있다.

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Lecture Summary

전 세계적인 탈탄소화 정책에 맞춰 빠르게 성장하는 친환경 전기자동차 산업 분야에서 전기자동차의 효율을 개선하기 위해 SiC를 기반으로 하는 파워 디바이스의 성능이 지속적으로 향상되고 있습니다. 로옴은 차세대 전력 변환 시스템에 적용할 수 있는 전력 반도체 제품군을 개발하고 있으며, 이러한 제품군에는 전기자동차 애플리케이션에 필수적인 On-board charger(OBC), DC/DC 컨버터, 메인 인버터 등에 사용 가능한 IGBT, SiC 쇼트키 배리어 다이오드, SiC MOSFET 등의 디바이스 솔루션이 있습니다.
본 발표에서는 고도화되는 전기자동차 성능에 맞춰 고내압, 고속 스위칭 동작을 위해 요구되는 전력 반도체 소자 특성과 주요 사항에 대해 신제품 로옴 4세대 SiC MOSFET의 특징을 중심으로 설명하고, 차량용 전력 변환 애플리케이션에서 로옴이 제공하는 SiC MOSFET 디바이스 솔루션에 대해 설명합니다.