인피니언 테크놀로지스(코리아 대표이사 이승수)는 까다로운 고전압 및 스위칭 주파수 조건에서도 시스템 신뢰성을 떨어뜨리지 않으면서 전력 밀도를 높이려는 디자이너의 요구를 충족하는 TO-247PLUS-4-HCC 패키지의 2000 V CoolSiC™ MOSFET 제품군을 출시했다.
CoolSiC MOSFET은 높은 DC 링크 전압을 제공하므로 전류를 높이지 않고도 전력을 높일 수 있다. 이 제품은 2000 V 항복전압(breakdown voltage)을 제공하는 업계 최초의 디스크리트 SiC(실리콘카바이드) 디바이스로, 연면거리 14 mm, 공간거리 5.4 mm의 TO-247PLUS-4-HCC 패키지로 제공된다. 이들 디바이스는 스위칭 손실이 낮아 태양광(스트링 인버터 등), 에너지 저장 시스템 및 전기차 충전 애플리케이션에 적합하다.
CoolSiC MOSFET 2000V 제품군은 최대 1500 V
DC의 높은 DC 링크 시스템에 이상적이다. 1700 V SiC MOSFET과 비교할 경우, 이들 제품은 1500 V
DC 시스템에도 충분한 과전압 마진을 제공한다. CoolSiC MOSFET은 4.5 V의 게이트 임계 전압으로 업계에 새로운 기준을 제시하며, 하드 커뮤테이션(hard commutation)을 위해 견고한 바디 다이오드를 내장했다. 또한, .XT 접합 기술을 적용하여 높은 수준의 열 성능을 제공하고 습기에 대한 내성이 뛰어나다.
CoolSiC MOSFET 2000 V 제품군은 현재 공급 중이며, 평가 보드 EVAL-COOLSIC-2KVHCC도 제공된다. 개발자는 이 보드를 정밀한 범용 테스트 플랫폼으로 사용하여 이중 펄스 동작(double pulse test) 또는 연속 PWM 동작으로 모든 2000 V CoolSiC MOSFET 및 다이오드, EiceDRIVER™ 콤팩트 단일 채널 절연형 게이트 드라이버 1ED31xx 제품군을 평가할 수 있다.
AEM_Automotive Electronics Magazine
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