로옴 1700V 내압 SiC-MOSFET 「SCT2H12NZ」 개발

2016년 09월호 지면기사  /  편집부

 

 

최근 에너지 절약에 대한 의식이 높아짐에 따라 범용 인버터 및 제조장비 등 산업기기에 있어서 저전력화를 실현하는 파워 반도체가 채용되고 있다. 이러한 산업기기에는 메인 전원회로뿐만 아니라, 제어IC 및 각종 시스템 구동용으로 전원전압을 공급하는 보조전원이 내장되는 경우가 많으며, 이러한 보조전원에는 내압 1000 V 이상의 Si-MOSFET이 널리 채용되고 있다.

그러나 내압 1000 V 이상의 Si-MOSFET은 큰 도통 손실로 인해 발열도 커져 주변부품 수 및 실장 면적 문제로 기기 소형화에 제약이 있었다. 로옴(ROHM)은 도통 손실이 적은 SiCMOSFET과 SiC-MOSFET구동용 제어 IC로 이러한 과제를 해결했다.

로옴은 이같은 고전압으로 동작하는 범용 인버터 및 제조장비 등 산업기기용 1700 V 내압의 SiC-MOSFET 「SCT2H12NZ」를 개발했다. 이 제품은 산업기기의 보조전원에 필요한 고내압ㆍ저전류 특성에 적합한 SiC-MOSFET으로, 일반적으로 사용되는 Si-MOSFET에 비해 도통 손실을 1/8로 저감해 기기의 저전력화에 기여한다. 1500V 내압의 Si-MOSFET과 비교 시, 1700 V 내압과 동시에 1/8의 ON 저항 1.15 Ω을 실현했다.

또 패키지로 TO-3PFM을 채용함으로써 산업기기에 요구되는 연면 거리(절연물의 표면을 따라 계측한 거리)를 확보했다. 로옴은 연면 거리를 확보한 면실장 타입의 TO-268-2L 패키지 제품도 출시할 예정이다.

새 제품은 SiC-MOSFET 구동용 AC/DC 컨버터 제어 IC 「BD7682FJ-LB」를 함께 사용하면 성능을 최대로 발휘시킬 수 있어 최대 6%의 극적인 고효율화와 대폭적인 손실 저감을 통해 주변 부품의 소형화를 실현할 수 있다.

로옴은 종합 반도체 메이커로서 SiC 디바이스와 조합해 사용 가능한 IC를 다양하게 구비하고 있다. 동시에 SiC 디바이스를 간단히 도입할 수 있도록 평가용 보드도 제공하고 있다. 이번 신제품을 사용한 평가 보드 「BD7682FJ-LB-EVK-402」 및 Full SiC 모듈 평가용 게이트 드라이브 보드, 스너버 모듈도 마련하고 있다. 로옴은 이러한 SiC 디바이스를 최적의 상태로 사용하기 위한 정보를 홈페이지에 공개하고 있다.

 

 

 

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