로옴, 4단자 패키지 SiC MOSFET 양산 개시

기존 제품 대비 스위칭 손실 35% 저감

2019-09-18 온라인기사  /  편집부

로옴(ROHM)은 고효율이 요구되는 전기차 충전 스테이션 등에 적합한 650V/1200V SiC MOSFET ‘SCT3xxx xR’ 4단자 패키지(TO-247 4L) 시리즈 6종의 양산을 개시했다고 18일 밝혔다.

SCT3xxx xR 시리즈는 기존 3단자(TO-247N) 제품에 비해 스위칭 손실을 35% 낮췄다. 기존의 3단자 패키지는 소스 단자의 인덕턴스 성분에 의해 게이트 전압이 저하되어 스위칭 속도가 지연되는 원인이 됐다.

반면, 4단자 패키지는 파워 소스 단자와 드라이버 소스 단자를 분리할 수 있기 때문에 인덕턴스 성분에 의한 영향을 억제할 수 있다. 그 결과 턴온(turn-on) 시의 손실을 크게 개선할 수 있다. 턴온 손실과 턴오프 손실을 통틀어, 기존 제품 대비 약 35%의 손실 저감을 실현해 고속 스위칭을 가능하게 했다. 

SCT3xxx xR 시리즈는 온저항이 각각 30/60/80 mΩ인 650V 제품 3종과 온저항이 각각 40/80/105 mΩ인 1200V 제품 3종이 준비돼 있다. 동작온도 범위는 모두 -55℃~175℃이다. 


 
SiC MOSFET 평가 보드 ‘P02SCT3040KR-EVK-001’은 로옴의 게이트 드라이버 IC(BM6101FV-C) 및 전원 IC, 디스크리트 제품을 탑재했다 이 평가 보드를 사용해 이중 펄스 시험, 승압 회로, 2 레벨 인버터, 동기식 벅 회로 등의 평가를 할 수 있다. <>

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