인피니언, TO263-7 패키지 1200V CoolSiC 트렌치 MOSFET 출시

인피니언 테크놀로지스는 26일 TO263-7 패키지를 적용한 차량용 1200V CoolSiC MOSFET을 출시한다고 밝혔다.

새로운 세대의 실리콘 카바이드(SiC) MOSFET은 온보드 차저(On-Board Charger, OBC)와 DC-DC 애플리케이션에서 높은 전력 밀도와 효율을 달성하고, 양방향 충전을 가능하게 하며 시스템 비용을 낮춘다. 인피니언에 따르면, 새로운 1200V CoolSiC 제품은 1세대와 비교하여 25% 낮은 스위칭 손실로 동급 최고의 스위칭 성능을 제공한다. 이러한 스위칭 동작 향상은 고주파수 동작을 가능하게 하여 시스템 크기를 줄이고 전력 밀도를 높여준다. 또한 4V 이상의 게이트-소스 임계 전압(V_GS(th))과 낮은 Crss/Ciss 비율로 기생 턴온의 위험 없이 V_GS = 0V에서 안정적인 턴오프를 달성한다. 따라서 단전원 구동이 가능하여 시스템 비용과 복잡성을 줄일 수 있다. 낮은 온 저항(R_DS(on))은 -55 ℃ ~ 175 ℃의 전체 온도 범위에서 도통 손실을 낮춘다.

향상된 확산(diffusion) 솔더링 칩 탑재 기술(.XT 기술)을 적용해 패키지 열 성능을 향상시킴으로써 SiC MOSFET 접합부 온도를 1세대와 비교해서 25%까지 낮춘다. 또한 5.89 mm의 연면 거리로 800 V 시스템의 요구를 충족하고 코팅 작업을 줄이도록 한다. 인피니언은 다양한 애플리케이션 요구를 충족하도록 다양한 R_DS(on) 옵션을 제공한다. 여기에는 TO263-7 패키지로 9 mΩ 타입을 포함한다. TO263-7 패키지를 적용한 1200V CoolSiC™ MOSFET 제품은 현재 공급되고 있다.

한편, 최신 CoolSiC MOSFET은 KOSTAL Automobil Elektrik의 차세대 OBC 플랫폼에 채택됐다. 차량 충전 시스템 회사인 KOSTAL은 표준 플랫폼 접근법을 통해 다양한 OEM의 요구와 글로벌 규격을 충족하는 안전하고 신뢰할 수 있는 고효율 제품을 공급한다.

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AEM_Automotive Electronics Magazine