TI, 텍사스 주 셔먼에 300 mm 반도체 웨이퍼 제조 공장 착공

텍사스 인스트루먼트(Texas Instruments, TI)는 미국 텍사스 주 셔먼에 건설하는 300 mm 반도체 웨이퍼 팹(제조공장) 착공식을 개최했다고 18일(현지 시간) 밝혔다.

착공식에 참석한 리치 템플턴(Rich Templeton) 텍사스 인스트루먼트 회장이자 사장 겸 CEO는 텍사스주 역사상 최대 규모에 이르는 민간 부문 투자가 개시된 것을 축하하며, 장기적인 관점에서 자사의 자체 제조 역량을 강화하겠다는 의지를 피력했다.

그는 “오늘 신규 공장 착공은 향후 수십 년에 걸쳐 고객의 수요에 대비하여 반도체의 미래 성장을 위한 초석을 마련하는 중요한 이정표가 될 것”이라며, “90년 전 창립 당시부터 지금까지 TI는 반도체를 통해 더 합리적인 가격의 전자 제품을 만들어서 더 나은 세상을 만들고자 하는 열정과 함께 발전해 왔다. 셔먼에 건설하는 첨단 300 mm 반도체 팹이 바로 이러한 노력의 일환이다.”라고 말했다.

300억 달러에 이르는 잠재적 투자 가치를 지닌 이번 투자에는 미래 반도체 시장의 수요를 충족하기 위한 4개의 팹 건설 계획이 포함돼 있다. 이 팹에서는 다양한 전자제품에 사용할 수 있는 아날로그 및 임베디드 프로세싱 칩이 생산될 예정이다.

TI에 따르면, 새로운 팹은 빌딩 인증 시스템인 LEED(Leadership in Energy and Environmental Design)의 구조적 효율성과 지속가능성 지표 중 상위 수준인 골드 등급을 충족하도록 설계된다. TI는 셔먼 팹의 첨단 300 mm 장비와 프로세스가 폐기물, 물 사용, 에너지 소모를 줄이는 데 기여할 것이라고 밝혔다. 
셔먼에 건설되는 TI의 첫 번째 팹은 2025년 가동에 들어간다. 새로운 팹들은 텍사스주 댈러스의 DMOS6, 텍사스주 리차드슨에 위치한 RFAB1, 올해 말부터 생산이 시작될 리차드슨 소재의 RFAB2를 포함한 TI의 기존 300 mm 반도체 팹을 보완하게 된다. 또한, 유타주 레히에 위치한 LFAB은 2023년 상반기에 생산을 시작할 예정이다.

템플턴 회장은 “장기적 제조 역량 강화를 위한 투자는 TI의 가격 경쟁력을 더욱 공고히 하고 공급망 관리 능력을 높여 줄 것”이라고 말했다.

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