로옴(ROHM)은 GaN (Gallium Nitride, 질화갈륨) 반도체와 같은 고속 스위칭 소자의 성능을 최대화하는 초고속 구동 제어 IC 기술을 확립했다고 3일 밝혔다.
전원 회로부를 소형화 하기 위해서는 고주파 스위칭에 의한 주변 부품의 소형화가 필요하다. 이를 위해서는 GaN 반도체와 같은 고속 스위칭 소자의 구동 성능을 최대화 하는 제어 IC가 필요하다. 로옴은 자체 아날로그 전원 기술 중 하나인 'Nano Pulse Control™'을 탑재한 GaN 소자를 위한 초고속 구동 제어 IC를 개발했다.
GaN 반도체는 고속 스위칭 특성이 우수해 채용이 확대되고 있지만, 구동을 지시하는 제어 IC의 고속화가 과제로 지목되고 있다. 로옴은 초고속 펄스 제어 기술인 Nano Pulse Control™을 한층 더 발전시켜 제어 펄스 폭을 기존 9 ns에서 2 ns까지 대폭 향상시키는데 성공했다. 로옴은 이 기술을 제어 IC에 탑재함으로써 초고속 구동 제어 IC 기술을 확립했다고 설명했다.
로옴은 이 기술을 사용한 제어 IC의 제품화를 추진 중이며, 2023년 후반에 100V 입력 1ch DC-DC 컨트롤러로 샘플 출하를 개시할 예정이다.
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