TI, 美 유타주에 두 번째 300mm 웨이퍼팹 착공

텍사스 인스트루먼트(TI)가 2일(미국 현지시간) 미국 유타주 리하이에서 새로운 300mm 반도체 웨이퍼 제조 공장(팹) 착공식을 개최했다.


하비브 일란 TI 사장 겸 CEO와 스펜서 콕스(가운데) 유타주 주지사가 유타주 리하이에 위치한
TI의 두 번째 300mm 반도체 웨이퍼 팹의 착공식에 지역사회 주요 관계자들과 함께 참석했다.


TI 코리아(대표이사 박중서)는 하비브 일란(Haviv Ilan) TI 사장 겸 CEO, 스펜서 콕스(Spencer Cox) 유타주 주지사를 비롯한 지역사회 주요 관계자가 참석한 가운데 LFAB2의 착공식을 진행했다고 6일 밝혔다.

LFAB2는 유타주 리하이에 위치한 기존 300mm 웨이퍼 팹인 LFAB과 통합해 운영될 예정이다. 두 개의 팹에서는 아날로그 IC와 임베디드 프로세싱 칩을 생산할 예정이다. TI는 LFAB2가 이르면 2026년에 첫 생산이 가능할 것이라고 밝혔다.

일란 CEO는 “이번에 신설되는 팹은 고객의 수요에 대응하고 자체 제조 역량을 구축하기 위한 TI의 장기적인 300mm 제조 로드맵의 일환”이라며 “TI의 열정은 반도체를 통해 더 합리적인 가격의 전자 제품으로 더 나은 세상을 만드는 것이다. 유타주 지역사회의 성장하는 일원으로서 오늘날 대부분의 모든 전자 시스템에 필수적인 아날로그 및 임베디드 프로세싱 반도체를 제조하게 된 것을 자랑스럽게 생각한다.”라고 말했다.

TI는 지난 2월 유타주에 110억 달러 투자 계획을 발표한 바 있으며, 이는 유타주 역사상 최대 규모의 경제 투자에 해당한다. TI는 LFAB2 건설로 약 800개의 임직원 고용 효과와 수천 개의 간접적인 일자리가 창출될 것으로 예상하고 있다. 

LFAB2는 100% 재생 가능한 전기를 사용하는 것을 목표로 하고 있다. 또한, 리하이에 위치한 TI의 기존 팹보다 거의 두 배에 달하는 양의 물을 재활용할 예정이다.

한편, LFAB2는 LFAB1, 댈러스의 DMOS6, 텍사스주 리처드슨의 RFAB1 및 RFAB2를 포함한 TI의 기존 300mm 웨이퍼 팹을 보완하는 역할을 하게 된다. TI는 텍사스주 셔먼에 4개의 새로운 300mm 웨이퍼 팹(SM1, SM2, SM3, SM4)을 건설 중이며, 이르면 2025년에 첫 번째 팹이 첫 생산을 시작할 예정이다. 

TI의 생산 확대를 위한 투자는 반도체 및 과학법(CHIPS and Science Act) 지원을 받게 되며, 아날로그 및 임베디드 제품의 안정적 공급을 보장하게 될 것으로 예상된다.

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AEM_Automotive Electronics Magazine