ST, 차세대 전기차 트랙션 인버터용 4세대 SiC MOSFET 공개 예정

ST마이크로일렉트로닉스(STMicroelectronics, 이하 ST)는 4세대 STPOWER SiC(Silicon Carbide, 실리콘 카바이드) MOSFET 기술을 공개할 예정이라고 4일 밝혔다.

ST는 이 기술이 전력 효율, 전력 밀도, 견고성 측면에서 새로운 기준을 수립할 것이며, 자동차 및 산업용 시장의 요구를 모두 충족하는 동시에 특히 전기차 트랙션 인버터에 최적화돼 있다고 소개했다. 또한, ST는 2027년까지 한층 발전된 SiC 혁신 기술을 발표할 계획이다.

ST의 아날로그, 전력 및 디스크리트, MEMS, 센서 그룹 사장인 마르코 카시스(Marco Cassis)는 “ST는 최첨단 실리콘 카바이드 기술을 통해 미래 전기 모빌리티와 산업 효율성을 선도하는 데 주력하고 있다"며 "ST는 디바이스와 첨단 패키지, 전력 모듈을 혁신하면서 SiC MOSFET 기술을 지속적으로 발전시키고 있다. 수직 통합 제조 전략과 더불어 업계를 선도하는 SiC 기술 성능과 탄력적인 공급망을 제공하면서 증가하는 고객 수요에 대응하고 더 지속가능한 미래에 기여하고 있다”라고 말했다.

ST의 최신 세대 SiC 디바이스는 크기와 에너지 절감 잠재력을 더욱 발전시켜 미래 전기차 트랙션 인버터 플랫폼에 이점을 제공하도록 설계되었다. 750V 및 1200V 등급으로 제공될 ST의 새로운 SiC MOSFET 디바이스는 400V 및 800V 버스 트랙션 인버터의 에너지 효율과 성능을 개선해 SiC의 장점을 중소형 전기차 모델에도 제공한다. 차세대 SiC 기술은 태양광 인버터, 에너지 저장 솔루션, 데이터센터 등 다양한 고전력 산업 애플리케이션에도 적합하다.

ST는 4세대 SiC 기술 플랫폼 기반의 750V 등급에 대한 품질 인증을 완료했으며, 1200V 등급은 2025년 1분기에 품질 인증을 완료할 예정이다. 750V 및 1200V 정격 전압의 디바이스가 상용화되면, 설계자들은 표준 AC 라인 전압에서 고전압 전기차 배터리 및 충전기까지 동작하는 애플리케이션을 처리할 수 있다.

ST는 수직 통합 제조 전략을 기반으로 SiC 전력 디바이스 개발을 가속화하기 위해 향후 3년간 다양한 SiC 혁신 기술을 병행하여 개발하고 있다. ST는 5세대 SiC 전력 디바이스에 플래너(Planar) 구조 기반의 고전력 밀도 기술을 적용했으며, 기존 SiC 기술보다 온저항(R_DS(on))을 감소시키고 고온에서 뛰어난 R_DS(on) 값을 지원하는 기술도 개발 중이다.

ST에 따르면, ST는 이미 전 세계 500만 대 이상 승용차의 트랙션 인버터, OBC(Onboard Charger), DC-DC 컨버터, 전기차 충전소, 전기 컴프레서 등 다양한 전기차 애플리케이션에 STPOWER SiC 디바이스를 공급했다. 

ST는 종합반도체회사(IDM)로서 SiC 전략을 통해 품질과 공급망 안전을 보장하면서 차량 제조사의 전기화 전략을 지원하고 있다. 이와 관련해 ST는 이탈리아 카타니아의 완전 수직 통합형 SiC 기판 제조시설을 2026년부터 가동할 예정이다.

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