로옴, xEV 시스템의 고전압 대응 SiC SBD 개발
5.1mm 연면 거리 확보 ... 높은 절연 성능 제공
2024-11-12 온라인기사  / 윤범진 기자_bjyun@autoelectronics.co.kr

로옴(ROHM) 주식회사는 독자적인 패키지 형상을 채용해 최소 5.1mm의 단자 간 연면 거리를 확보함으로써 절연 내성을 향상시킨 표면 실장형 SiC 쇼트키 배리어 다이오드(Schottky Barrier Diode, 이하 SBD)를 출시했다.

로옴은 이번에 온보드 차저(On Board Charger, OBC) 등 차량용으로 개발된 8개 모델(SCS2xxxNHR)을 먼저 출시하고, 12월에는 FA 기기 및 태양광 인버터 등 산업 기기용으로 8개 모델(SCS2xxxN)을 추가할 예정이다.

최근 xEV의 OBC와 같은 애플리케이션에서 발열이 적고 고속 스위칭 및 고전압 성능을 갖춘 SiC SBD의 수요가 늘고 있다. 특히, 애플리케이션의 생산성 향상을 위해 마운터로 실장 가능한 소형 표면실장(SMD) 패키지 제품의 수요가 늘고 있다. 그러나, 소형 SMD는 일반적으로 연면 거리가 짧기 때문에 고전압 트래킹 방지가 중요한 설계 과제가 되고 있다. 

신제품은 기존 패키지 하단에 배치된 중앙 핀을 제거한 독창적인 설계로 연면 거리를 표준 제품보다 약 1.3배 늘린 최소 5.1mm로 확장했다. 연면 거리를 길게 확보함으로써 단자 간 트래킹(연면 방전)을 억제할 수 있어, 고전압 애플리케이션에서 회로 기판에 표면 실장할 때 수지 포팅을 통한 절연 처리가 필요 없다. 또한, 표준 및 기존 TO-263 패키지 제품과 동일한 랜드 패턴으로 실장할 수 있어, 기존 회로 기판에서 쉽게 교체할 수 있다.



 

로옴은 650V 및 1200V 제품을 갖춤으로써 xEV에서 널리 활용되는 400V 시스템뿐만 아니라 향후 고전압 시스템에도 적용할 수 있게 했다. 또한, TO-263 패키지의 일반품 및 기존품과 공통된 랜드 패턴으로 실장할 수 있어 기존의 회로 기판에 대한 대체 사용이 가능하다.



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