로옴 SiC MOSFET, 셰플러 인버터 브릭에 채택 ··· 양산 개시
800V 이상 전기차 아키텍처용 신규 SiC 기반 인버터 서브어셈블리
2025-09-05 온라인기사  / 박종서 기자_fop1212@autoelectronics.co.kr

로옴 세미컨덕터는 독일의 자동차 부품사인 셰플러(Schaeffler)가 로옴 실리콘카바이드(SiC) MOSFET 베어 칩을 탑재한 고전압 인버터 브릭(Inverter brick)의 양산을 시작했다고 4일 밝혔다. 
 


High voltage inverter brick
 

이 서브어셈블리는 전기차(EV) 구동 인버터용 핵심 전력전자 부품으로 설계됐으며, 초기 적용은 중국의 주요 완성차 업체에서 진행될 예정이다.

셰플러 인버터 브릭은 EV 모터를 구동하는 고주파 전류 펄스를 생성하며, 일반적인 800V 수준을 넘어서는 배터리 전압과 최대 650A의 RMS 전류를 관리한다. 

이 소형 모듈형 서브어셈블리는 PWM용 전력 모듈, DC 링크 커패시터, DC 링크, 냉각 시스템을 통합한 구조를 갖췄다. 특히, 통합 DC 부스트 기능을 통해 800V 아키텍처 차량이 400V 충전소에 연결되더라도 빠른 충전 속도를 유지할 수 있다.

로옴의 SiC 전력 반도체는 모듈형·확장형 설계로, 모터·인버터·변속기를 결합한 X-in-1 e-액슬 아키텍처 등 다양한 인버터 플랫폼에 통합할 수 있다.

셰플러가 로옴과 체결한 전략적 파트너십(당초 비테스코 테크놀로지스와 시작)은 2020년부터 이어져 왔으며, 이번 양산은 EV용 고전압 반도체에 대한 수요 증가를 반영한다.

AEM(오토모티브일렉트로닉스매거진)



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