인피니언, 650V CoolSiC Hybrid IGBT 출시

[보도자료] – 인피니언 테크놀로지스가 650V CoolSiC™ Hybrid IGBT 디스크리트 제품군을 출시했다. CoolSiC Hybrid 제품군은 650V TRENCHSTOP™ 5 IGBT 기술과 유니폴라 구조의 쇼트키 배리어 CoolSiC 다이오드를 결합했다. 우수한 스위칭 주파수와 낮은 스위칭 손실로 DC-DC 파워 컨버터와 PFC(역률 보상)에 적합하며, 주요 애플리케이션은 배터리 충전 인프라, 에너지 저장 솔루션, 태양광 인버터, 무정전 전원장치 (UPS), 서버 및 텔레콤 SMPS 등이다. 

CoolSiC Hybrid IGBT는 IGBT와 프리휠링 SiC 쇼트키 배리어 다이오드를 패키지에 통합하여, 동작 시 거의 일정한 dv/dt 및 di/dt 값으로 스위칭 손실을 크게 낮춘다. 표준 실리콘 다이오드 솔루션과 비교해서 E_on은 최대 60%, E_off는 최대 30%까지 낮춘다. 또 다르게는 출력 전력 요구는 그대로이면서 스위칭 주파수를 40%까지 높일 수 있다. 스위칭 주파수를 높이면 수동부품의 크기를 줄일 수 있으므로 BOM(Bill of Materials) 비용을 낮출 수 있다. TRENCHSTOP 5 IGBT를 Hybrid IGBT로 교체하면 설계 변경 없이 매 10kHz 스위칭 주파수에 효율을 0.1% 향상시킬 수 있다.

이들 제품은 순수 실리콘 솔루션과 고성능 SiC MOSFET 디자인 사이의 가교 역할을 하게 된다. 순수 실리콘 디자인과 비교해서 Hybrid IGBT는 전자기적합성과 시스템 신뢰성을 향상시킨다. 또한 쇼트키 배리어 다이오드의 유니폴라 특성으로 다이오드가 심한 발진이나 기생 턴온의 위험 없이 빠르게 스위칭할 수 있다. TO-247-3핀 패키지나 TO-247-4핀 켈빈 이미터 패키지 중에서 선택할 수 있다. 켈빈 이미터 패키지의 네 번째 핀은 인덕턴스가 매우 낮은 이미터 제어 루프를 가능하게 하고 총 스위칭 손실을 낮춘다. 

 

• AEC-Q101/100에 따라 인증
• 하드 스위칭 시 동급 최고의 효율 및 공진 토폴로지
• 역방향 또는 순방향 복구 전하 없음
• 서지 전류에 대한 강력한 보호
• 650V 항복 전압

• 낮은 게이트 전하(Q_g)
• -40~175°C 작동 접합 온도 범위
• 21mm x 15.8mm PG-TO247-3 패키지
• 5.44mm 최소 단자 피치
• 무연 도금, RoHS 규격 준수

CoolSiC Hybrid 디스크리트 IGBT 제품군은 현재 주문 가능하다. 40A, 50A, 75A 650V TRENCHSTOP 5 초고속 H5 IGBT에 정격이 절반인 CoolSiC Gen 6 다이오드를 통합한 제품들과 중간 속도 S5 IGBT에 정격이 동일한 CoolSiC Gen 6 다이오드를 통합한 제품들을 포함한다. 자동차 애플리케이션에 사용할 수 있도록 AEC-Q101/100 인증을 받았다. [AEM]

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AEM_Automotive Electronics Magazine