로옴, 에이펙스 마이크로테크놀로지에 SiC 기반 MOSFET 및 SBD 공급
에이펙스의 산업기기용 파워 모듈 시리즈에 채용
2023-03-20 온라인기사  / 윤범진 기자_bjyun@autoelectronics.co.kr

로옴(ROHM Semiconductor)은 자사의 SiC MOSFET 및 SiC 쇼트키 배리어 다이오드(SBD)가 하이파워 아날로그 모듈 메이커인 에이펙스 마이크로테크놀로지(Apex Microtechnology)의 파워 모듈 시리즈에 채용됐다고 발표했다. 

에이펙스 마이크로테크놀로지의 파워 모듈 시리즈에는 고내압 3상 DC 모터 구동에 최적인 드라이버 모듈 SA310 및 폭넓은 고전압 애플리케이션에 최적인 Half-bridge 모듈 SA110과 SA111이 포함돼 있다. 




로옴의 1,200V SiC MOSFET 'S4101'과 650V SiC SBD 'S6203'은 베어 칩으로 공급되어 애플리케이션의 소형화와 모듈의 성능 및 신뢰성을 향상시킨다. 또한, 에이펙스 마이크로테크놀로지의 파워 모듈 시리즈에는 로옴의 게이트 드라이버 IC 'BM60212FV-C'가 베어 칩으로 탑재되어 있어, 고내압 모터나 전원의 고효율 동작을 지원한다. 에이펙스 마이크로테크놀로지가 외부에 위탁해 조사한 바에 따르면, 이러한 중요 부품을 베어 칩으로 구성함으로써 디스크리트 부품 구성 대비 67%의 실장 면적을 절약할 수 있다.



AEM_Automotive Electronics Magazine


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