실리콘 카바이드(SiC) FET 및 다이오드 전력반도체 전문업체인 UnitedSiC가 자사의 4세대 750V SiC FET 신제품 4종을 출시했다. 뛰어난 성능지수(Figure of Merit, FoM)을 제공하는 이 제품군은 자동차, 산업용 충전기, 텔레콤 정류기, 데이터센터 PFC 및 DC-DC 변환을 비롯해 재생에너지와 에너지 저장 등의 전력 애플리케이션에 적합하다.
4세대 SiC FET는 18 mΩ 옵션과 60 mΩ 옵션으로 제공되며, 단위 면적당 온저항과 고유 커패시턴스(Intrinsic capacitance)가 낮다. 하드 스위칭 애플리케이션에서 최소의 R
DS(on) x E
OSS(mΩ -μJ) 값을 나타내며, 온/오프 전환 시 손실을 낮춘다. 또한, R
DS(on) x Coss(tr) (mohm-nF) 사양 값이 낮음으로써 소프트 스위칭 애플리케이션에서는 낮은 전도 손실과 고주파수를 제공한다. UnitedSiC는 4세대 SiC FET 제품이 저온(25°C)과 고온(125°C) 동작 모두에서 경쟁 SiC MOSFET의 성능을 능가할 뿐만 아니라 내장 다이오드의 V
F가 낮고 역회복 성능이 뛰어나 데드타임 손실이 감소하고 효율이 향상됐다고 밝혔다.
주요 매개변수를 정규화 한 경우 UnitedSiC 750V FET의 레이더 차트(값이 작을수록 우수)
V
DS 정격 또한 높기 때문에 400/500V 버스 전압 애플리케이션에 유용하다. 게이트 전압 +/- 20V, 호환성이 뛰어난 5V 문턱전압(Threshold Voltage,
Vth)의 게이트 구동 성능은 모든 디바이스를 0 ~ + 12V의 게이트 전압으로 구동할 수 있다. 따라서 기존 SiC MOSFET, Si IGBT, Si MOSFET 게이트 드라이버와 함께 사용할 수 있다.
현재 4종의 SiC FET 신제품은 공식 대리점을 통해 구입할 수 있으며, 사양은 아래와 같다.
| 부품 번호 |
RDS(on) @ 25°C |
패키지 |
| UJ4C075018K3S |
18mΩ |
TO247-3L |
| UJ4C075018K4S |
18mΩ |
TO247-4L |
| UJ4C075060K3S |
60mΩ |
TO247-3L |
| UJ4C075060K4S |
60mΩ |
TO247-4L |
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