UnitedSiC, 750V 4세대 SiC FET 출시
뛰어난 성능지수 기반으로 다양한 전력 애플리케이션에 적합
2021-02-08 온라인기사  / 편집부

실리콘 카바이드(SiC) FET 및 다이오드 전력반도체 전문업체인 UnitedSiC가 자사의 4세대 750V SiC FET 신제품 4종을 출시했다. 뛰어난 성능지수(Figure of Merit, FoM)을 제공하는 이 제품군은 자동차, 산업용 충전기, 텔레콤 정류기, 데이터센터 PFC 및 DC-DC 변환을 비롯해 재생에너지와 에너지 저장 등의 전력 애플리케이션에 적합하다.  



4세대 SiC FET는 18 mΩ 옵션과 60 mΩ 옵션으로 제공되며, 단위 면적당 온저항과 고유 커패시턴스(Intrinsic capacitance)가 낮다. 하드 스위칭 애플리케이션에서 최소의 RDS(on) x EOSS(mΩ -μJ) 값을 나타내며, 온/오프 전환 시 손실을 낮춘다. 또한, RDS(on) x Coss(tr) (mohm-nF) 사양 값이 낮음으로써 소프트 스위칭 애플리케이션에서는 낮은 전도 손실과 고주파수를 제공한다. UnitedSiC는 4세대 SiC FET 제품이 저온(25°C)과 고온(125°C) 동작 모두에서 경쟁 SiC MOSFET의 성능을 능가할 뿐만 아니라 내장 다이오드의 VF가 낮고 역회복 성능이 뛰어나 데드타임 손실이 감소하고 효율이 향상됐다고 밝혔다. 


주요 매개변수를 정규화 한 경우 UnitedSiC 750V FET의 레이더 차트(값이 작을수록 우수)

VDS 정격 또한 높기 때문에 400/500V 버스 전압 애플리케이션에 유용하다. 게이트 전압 +/- 20V, 호환성이 뛰어난 5V 문턱전압(Threshold Voltage, Vth)의 게이트 구동 성능은 모든 디바이스를 0 ~ + 12V의 게이트 전압으로 구동할 수 있다. 따라서 기존 SiC MOSFET, Si IGBT, Si MOSFET 게이트 드라이버와 함께 사용할 수 있다.
 
현재 4종의 SiC FET 신제품은 공식 대리점을 통해 구입할 수 있으며, 사양은 아래와 같다.
 
부품 번호 RDS(on) @ 25°C 패키지
UJ4C075018K3S 18mΩ TO247-3L
UJ4C075018K4S 18mΩ TO247-4L
UJ4C075060K3S 60mΩ TO247-3L
UJ4C075060K4S 60mΩ TO247-4L



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