인피니언, 정적 스위칭용 600V MOSFET 출시

MOSFET을 저주파수로 스위칭하는 애플리케이션에서 고전력 제품 설계는 전도 손실을 최소화하고, 최적의 열 동작을 달성하며, 더 작고 가벼운 시스템을 구현할 수 있도록 몇 가지 주요 특성을 충족해야 한다. 

인피니언 테크놀로지스는 이러한 요구를 충족하기 위해 정적(static) 스위칭 애플리케이션에 최적화된 산업용 600V CoolMOS™ S7 10mΩ 제품과 자동차 등급의 CoolMOS S7A 제품을 출시했다. 

CoolMOS S7 10mΩ 제품은 600V 수퍼정션 MOSFET으로 낮은 온저항(R_DS(on))을 특징으로 하므로, 솔리드 스테이트 릴레이(SSR)처럼 전도손실을 최소화해야하는 애플리케이션에 적합하다. 반면에 자동차 등급의 CoolMOS S7A 제품은 고전압 (HV) eFUSE, HV eDisconnect 배터리 차단 스위치, 온보드 차저 같은 자동차 애플리케이션의 고전력/고성능 설계를 위한 솔리드 스테이트 회로 차단기(SSCB) 및 다이오드 병렬화/교체의 시스템 성능 요구사항을 충족한다. 

이들 제품은 잘 알려진 CoolMOS 7 기술 플랫폼을 최적화해서 개발된 것으로, 정적 스위칭과 고전류 애플리케이션에 적합하도록 디바이스를 향상시켰다. 전도 성능, 에너지 효율, 전력 밀도, 열 저항을 향상시킴으로써, 이들 디바이스는 최고 품질 수준으로 최상의 가격대 성능비를 제공한다. 

또한 CoolMOS S7 10mΩ 및 CoolMOS S7A 제품은 업계 최저 R_DS(on) 및 동급 최상의 R_DS(on) x A x 비용으로 제공된다. 상단 냉각(TSC) QDPAK SMD 패키지를 채택해 뛰어난 열 동작을 달성하고 TO-247 같은 THD 디바이스에 비해서 크기를 소형화할 수 있다. THD에서 QDPAK 표면실장 디바이스로 전환하면 높이를 94퍼센트 낮출 수 있어 전력 밀도를 높일 수 있다. CoolMOS™ S7 10mΩ과 CoolMOS S7A 의 전도 손실이 낮으므로 디자이너는 방열판의 크기를 80퍼센트까지 축소하고 폼팩터를 변경하지 않고도 전류와 전압 정격을 높일 수 있다.

CoolMOS S7 10mΩ 및 CoolMOS S7A 디바이스는 TSC QDPAK 패키지 (HDSOP-22-1)로 제공되며, 현재 주문 가능하다. [AEM]

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AEM_Automotive Electronics Magazine