인피니언, 정적 스위칭용 600V MOSFET 출시
산업용 600V CoolMOS S7 10mΩ 제품과 자동차 등급 CoolMOS S7A 제품
2021-04-21 온라인기사  /  편집부

MOSFET을 저주파수로 스위칭하는 애플리케이션에서 고전력 제품 설계는 전도 손실을 최소화하고, 최적의 열 동작을 달성하며, 더 작고 가벼운 시스템을 구현할 수 있도록 몇 가지 주요 특성을 충족해야 한다. 

인피니언 테크놀로지스는 이러한 요구를 충족하기 위해 정적(static) 스위칭 애플리케이션에 최적화된 산업용 600V CoolMOS™ S7 10mΩ 제품과 자동차 등급의 CoolMOS S7A 제품을 출시했다. 



CoolMOS S7 10mΩ 제품은 600V 수퍼정션 MOSFET으로 낮은 온저항(RDS(on))을 특징으로 하므로, 솔리드 스테이트 릴레이(SSR)처럼 전도손실을 최소화해야하는 애플리케이션에 적합하다. 반면에 자동차 등급의 CoolMOS S7A 제품은 고전압 (HV) eFUSE, HV eDisconnect 배터리 차단 스위치, 온보드 차저 같은 자동차 애플리케이션의 고전력/고성능 설계를 위한 솔리드 스테이트 회로 차단기(SSCB) 및 다이오드 병렬화/교체의 시스템 성능 요구사항을 충족한다. 

이들 제품은 잘 알려진 CoolMOS 7 기술 플랫폼을 최적화해서 개발된 것으로, 정적 스위칭과 고전류 애플리케이션에 적합하도록 디바이스를 향상시켰다. 전도 성능, 에너지 효율, 전력 밀도, 열 저항을 향상시킴으로써, 이들 디바이스는 최고 품질 수준으로 최상의 가격대 성능비를 제공한다. 

또한 CoolMOS S7 10mΩ 및 CoolMOS S7A 제품은 업계 최저 RDS(on) 및 동급 최상의 RDS(on) x A x 비용으로 제공된다. 상단 냉각(TSC) QDPAK SMD 패키지를 채택해 뛰어난 열 동작을 달성하고 TO-247 같은 THD 디바이스에 비해서 크기를 소형화할 수 있다. THD에서 QDPAK 표면실장 디바이스로 전환하면 높이를 94퍼센트 낮출 수 있어 전력 밀도를 높일 수 있다. CoolMOS™ S7 10mΩ과 CoolMOS S7A 의 전도 손실이 낮으므로 디자이너는 방열판의 크기를 80퍼센트까지 축소하고 폼팩터를 변경하지 않고도 전류와 전압 정격을 높일 수 있다.

CoolMOS S7 10mΩ 및 CoolMOS S7A 디바이스는 TSC QDPAK 패키지 (HDSOP-22-1)로 제공되며, 현재 주문 가능하다. [AEM]


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