마우저, 40~650V 전압 지원 온세미 GaN FET 공급

마우저 일렉트로닉스(Mouser Electronics)가 로보틱스와 산업자동화 등에 활용할 수 있는 온세미(onsemi)의 새로운 가넥서스(GaNEXUS™) GaN FET 제품군을 공급한다. 높은 주파수에서 전력 변환 효율을 높이고 전력 밀도를 개선할 수 있는 질화갈륨(GaN) 기반 전력 반도체는 모터 드라이브를 비롯한 다양한 전력 시스템 설계를 지원한다.

가넥서스 GaN FET는 GaN의 와이드 밴드갭 특성을 활용해 고속 스위칭과 낮은 게이트 및 출력 전하, 높은 효율을 구현하도록 설계됐다. 로보틱스 분야에서는 모터 드라이브와 같은 저전압·중전압 전력 시스템에 적용해 스위칭 손실을 줄이고 전력 밀도와 열 성능을 높이는 데 활용할 수 있다.

특히 가넥서스 제품군은 저전압, 중전압, 고전압 및 초고전압 전력 변환 애플리케이션을 대상으로 40V에서 650V까지의 전압 범위를 지원한다. 높은 동작 주파수를 활용하면 자기 부품의 크기를 줄이면서 전력 밀도를 높일 수 있어 전력 변환 시스템의 소형화에도 기여할 수 있다.

제품군에는 인핸스먼트 모드(enhancement-mode) 방식의 디스크리트 GaN HEMT(high-electron-mobility transistor)가 포함된다. 또한 보호 기능을 통합한 650V 가넥서스 스마트 GaN FET를 제공해 시스템 신뢰성을 높이고 전력 시스템 통합을 간소화할 수 있도록 했다.

가넥서스는 로봇 외에도 AI 서버, 48V 중간 버스 컨버터(Intermediate Bus Converter, IBC), 배터리 백업 유닛(BBU), 산업용 모터 드라이브 등 다양한 전력 시스템에 적용할 수 있다. 저전압 및 중전압 시스템에서는 자기 부품의 크기를 줄이면서 높은 전력 밀도와 효율, 열 성능 및 제어 안정성을 구현하고 스위칭 손실을 낮추는 데 초점을 맞췄다.

고전압 영역에서는 AI 파워 셸프(power shelf), 고전압 DC-DC 변환, 역률 보정(PFC), LLC 전력단 등에 적용할 수 있다. 고주파 AC-DC 및 공진 전력단에서는 자기 부품의 크기를 최대 60%까지 줄일 수 있으며, PFC와 LLC, 고전압 DC-DC 아키텍처의 전력 밀도를 높이고 열 관리 및 운영 비용을 줄일 수 있다.

마우저는 가넥서스 GaN FET가 설계 엔지니어가 전력 시스템의 설계 복잡성을 줄이고 개발 및 인증을 가속화하는 동시에 열 관리와 냉각 요구사항을 완화할 수 있도록 지원한다고 설명했다.

가넥서스 GaN FET에 대한 자세한 정보는 마우저 일렉트로닉스 웹사이트에서 확인할 수 있다.

AEM(오토모티브일렉트로닉스매거진)

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