트랙션 동력 장치(Traction Power Unit, TPU), 보조 동력 장치(Auxiliary Power Unit, APU), 반도체 변압기(Solid-State Transformer, SST), 산업용 모터 드라이브 및 에너지 인프라 솔루션의 효율성 증대, 시스템 크기 및 무게 절감, 신뢰성 향상을 위해서는 SiC와 같은 고전압 스위칭 기술이 필요하다.
마이크로칩테크놀로지(아시아 총괄 및 한국대표 한병돈)가 22일 25밀리옴(mOhm)의 온저항(R
ds(on))을 제공하는 3.3kV SiC MOSFET과 90암페어(amp)의 정격 전류를 제공하는 SiC 쇼트키 베리어 다이오드(Schottky Barrier Diode, SBD)를 출시했다.
오늘날 많은 실리콘(Si) 기반 디자인이 효율성 향상, 시스템 비용 절감 및 애플리케이션 혁신에 있어 한계에 직면했다. 고전압 SiC는 이러한 문제를 해결할 수 있는 검증된 대안이지만, 3.3kV SiC 전력 소자의 가용성은 제한적이었다. 마이크로칩의 3.3kV MOSFET 및 SBD는 700V, 1200V, 1700V 다이, 디스크리트, 모듈 및 디지털 게이트 드라이버를 포함하는 마이크로칩의 포괄적인 SiC 솔루션 포트폴리오의 일부다.
마이크로칩 3.3kV SiC 전력 소자는 모두 다이 또는 패키지 형태로 제공된다. 이를 통해 개발자는 디자인을 단순화하고 고출력 시스템을 개발할 수 있으며, 병렬 부품을 적게 사용함으로써 더 작고 가벼우며 효율적인 전력 솔루션을 구현할 수 있다.
마이크로칩은 지난 3년간 수백 개의 SiC 전력 소자 및 솔루션을 출시하며 개발자가 애플리케이션 요건을 충족하는 전압, 전류 및 패키지를 찾을 수 있도록 지원해왔다. 마이크로칩 반도체 소자에는 고객 중심의 제품 단종 정책이 적용돼 고객이 필요로 하는 한 해당 제품의 생산을 보장한다.
마이크로칩의 확장된 SiC 포트폴리오는 마이크로칩의 MPLAB
® Mindi™ 아날로그 시뮬레이터 모듈 및 드라이버 보드 레퍼런스 디자인과 호환 가능한 광범위한 SiC SPICE 모델의 지원을 받는다. 인텔리전트 컨피규레이션 툴(Intelligent Configuration Tool, ICT)은 개발자가 마이크로칩의 AgileSwitch
® 제품군의 구성 가능한 디지털 게이트 드라이버를 위한 효율적인 SiC 게이트 드라이버 설정을 효율적으로 모델링할 수 있도록 지원한다.
AEM_Automotive Electronics Magazine
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