인피니언 테크놀로지스(코리아 대표이사 이승수)는 신뢰할 수 있고 사용하기 쉬우며 경제적인 가격대로 최상의 성능을 제공하는 새로운 CoolSiC™ 650V 실리콘 카바이드(SiC) MOSFET 제품군을 출시한다고 29일 밝혔다.
이 제품군은 인피니언의 SiC 트렌치 기술을 기반으로 하고 .XT 인터커넥션 (.XT interconnection) 기술을 적용한 소형 D
2PAK SMD 7핀 패키지로 제공되며 서버, 텔레콤, 산업용 SMPS, 급속 EV 충전, 모터 드라이브, 태양광 에너지 시스템, 에너지 저장, 배터리 포메이션 등 고전력 애플리케이션에 적합하다.
CoolSiC MOSFET 650V 제품군은 더 높은 전류에서 향상된 스위칭 성능을 제공하고 최고 수준의 실리콘 디바이스 대비 80% 낮은 역복구전하(Qrr) 및 드레인-소스 전하(Qoss)를 제공한다. 감소된 스위칭 손실은 더 작은 시스템 크기로 고주파수 동작을 가능하게 하여 더 높은 효율과 전력 밀도를 달성하도록 한다. 트렌치 기술은 우수한 게이트 산화막 신뢰성의 기반이며, 향상된 애벌랜치(avalanche) 및 단락 회로 견고성으로 가혹한 환경에서도 최대의 시스템 신뢰성을 보장한다. 이들 SiC MOSFET은 반복적 하드 정류를 사용하는 토폴로지나 고온 및 가혹한 동작에 적합하다. 온도에 대한 온 저항(RDS(on)) 의존성이 매우 낮아 우수한 열 동작을 나타낸다.
게이트 대 소스 전압(V
GS) 범위가 -5V~23V로 넓고 0V 턴오프 V
GS와 4V 이상의 게이트-소스 임계 전압(V
GS(th))을 지원하는 신제품은 일반적인 MOSFET 게이트 드라이버 IC와 동작한다. 또한 양방향 토폴로지와 완전한 dv/dt 제어를 지원하여 시스템 비용과 복잡성을 낮추고 통합을 수월하게 한다. .XT 인터커넥션 기술은 패키지 열 성능을 크게 향상시킨다. 표준 인터커넥션에 비해서 최대 30%까지 손실을 더 많이 소산시킨다.
CoolSiC MOSFET 650V D
2PAK 7핀(TO-263-7)은 현재 주문 가능한다.
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