텔레다인르크로이, GaN 및 SiC 반도체 테스트 소프트웨어 출시

텔레다인르크로이는 새로운 1GHz DL-ISO 고전압 와이드밴드갭(Wide Band Gap) 프로브 및 전력 반도체 소자 테스트 소프트웨어를 출시했다고 14일 밝혔다.

이 소프트웨어는 고해상도 오실로스코프(HDO^®)와 결합해 GaN 및 SiC 전력 반도체 소자의 정확한 전기적 특성을 제공한다. 새로운 텔레다인르크로이 DL-ISO 고전압 WGB 프로브는 설계 엔지니어에게 신뢰도가 높은 GaN 및 SiC 전력 반도체 소자 측정을 제공한다. 텔레다인르크로이에 따르면, 이 프로브는 12비트 해상도 HDO와 결합했을 때 1.5%에 달하는 신호 충실도, 낮은 오버슈트 및 최고의 정확도를 자랑하며, 유일한 경쟁사보다 두 배 우수하다.

1GHz 대역폭은 GaN 장치 1ns 상승 시간을 측정하기 위한 요구사항을 충족한다. 또한, HDO는 고속 GaN 및 SiC 소자 신호의 충실한 신호 포착과 관측 및 측정을 할 수 있도록 12비트 해상도로 최대 20 GS/s의 샘플링 속도를 제공한다.

새로운 파워 디바이스 소프트웨어 패키지는 JEDEC^®에서 기술하고 있는 오실로스코프를 이용한 스위칭 손실 측정방법을 자동화해 GaN 및 SiC 디바이스 손실 측정을 간단하게 수행할 수 있으며 Turn-on, Turn-off 등의 측정 대상 영역을 하이라이트한 컬러 오버레이 기능으로 구분하여 표시한다.

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AEM_Automotive Electronics Magazine