인피니언, 온저항 낮춘 1200V SiC MOSFET 포트폴리오 확장
2022-04-21 온라인기사  / 윤범진 기자_bjyun@autoelectronics.co.kr

인피니언 테크놀로지스(Infineon Technologies)는 더 큰 게이트 동작 범위를 가능하게 하여 주어진 다이 크기로 온저항(on-resistance)을 향상시킨 1200V SiC (Silicon Carbide) MOSFET 칩을 출시했다고 밝혔다.



새롭게 추가된 CoolSiC™ MOSFET 1200V M1H 칩은 Easy 모듈 제품군에 적용될 뿐만 아니라 .XT 인터커넥트 기술을 적용한 디스크리트 패키지로도 제공된다. M1H 칩은 태양광 에너지 시스템의 인버터같이 피크 수요를 충족해야 하는 애플리케이션뿐만 아니라 급속 EV 충전, 에너지 저장 시스템 및 다양한 산업용 애플리케이션에 적합하다.

더 큰 게이트 동작 범위는 높은 스위칭 주파수에서도 제한 없이 게이트에서 드라이버나 레이아웃 관련 전압 피크에 대해 높은 견고성을 제공한다. M1H 칩 기술은 다양한 패키지 옵션으로 제공되므로 설계 엔지니어가 전력 밀도를 높이거나 애플리케이션 성능을 높이고자 하는 것에 따라서 적합한 제품을 선택할 수 있다.

M1H는 Easy 제품군에 통합되어 Easy 1B 및 2B 모듈을 더욱 향상시키게 되었으며, 새로운 1200V CoolSiC MOSFET을 적용한 Easy 3B 모듈도 출시 예정이다. 


 CoolSiC™ MOSFET Easy 3B

175 ℃의 최대 접합 온도는 과부하 성능을 향상시켜 전력 밀도를 높이고 결함에 대한 견고성을 높인다. M1H는 기존 M1과 비교해 내부 RG가 작아 스위칭 동작을 쉽게 최적화할 수 있으며, 동적 동작은 그대로이다.

CoolSiC MOSFET 1200V M1H 포트폴리오는 TO247-3 및 TO247-4 패키지로 온저항이 매우 낮은 7mΩ, 14mΩ, 20mΩ 디스크리트 제품을 포함한다. 이들 디바이스는 게이트-소스 전압을 최대 -10V까지 낮춰 게이트 전압 오버슈트 및 언더슈트에 있어서 유리하며, 애벌랜치(avalanche) 및 단락 회로 보호 기능을 포함하여, 특히 설계가 용이하다.

인피니언의 .XT 인터커넥트 기술은 표준 인터커넥션에 비해 열 방출 능력을 30% 이상 향상시킨다. 이 열적 이점은 출력 전력을 15%까지 높일 수 있다. 또는 스위칭 주파수를 높임으로써 전기차 충전, 에너지 저장, 태양광 시스템 등에서 수동 부품을 줄일 수 있으며, 전력 밀도를 높이고 시스템 비용을 낮출 수 있다. 시스템 동작 조건을 바꾸지 않고서도 .XT 기술이 SiC MOSFET 접합부 온도를 낮춰 전원 사이클링 성능을 향상시키고 시스템 수명을 늘린다. 



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