Qorvo, 1200V Gen 4 SiC FET 출시
2022-05-11 온라인기사  /  윤범진 기자_bjyun@autoelectronics.co.kr


RF및 전원 솔루션 전문기업 코보(Qorvo®, 구 UnitedSiC)가 업계 선도적인 온-저항 수치를 제공하는 차세대 1200V 실리콘 카바이드(SiC) FET(Field Effect Transistor) 시리즈를 발표했다.

1200V Gen4 SiC FET의 새로운 UF4C/SC 시리즈는 800V 버스 구조의 전기자동차(EV)용 OBC(On Board Charger), 산업용 배터리 충전기, 산업용 전원공급장치, DC/DC 태양광 인버터를 비롯해 용접기, 무정전전원공급장치(UPS), 인덕션 애플리케이션에 적용할 수 있다.

UnitedSiC/Qorvo의 아눕 발라(Anup Bhalla) 파워 디바이스 담당 수석 엔지니어는 "1200V까지 확장된 UnitedSiC의 차세대 고성능 Gen4 옵션을 통해, 우리는 800V로 버스 전압 구조를 옮기려는 개발자에게 더 나은 지원을 제공할 수 있게 됐다. 전기자동차에서는 이처럼 높은 전압으로의 전환이 불가피하며, 4가지의 서로 다른 RDS(on) 값을  가진 이러한 차세대 신제품은 설계 시 개발자가 최적의 SiC를 선택할 수 있도록 도와준다."라고 말했다.

UF4C/SC 시리즈의 성능은 다음과 같다:
 
성능 지표(FOM) (Value)
RDS(on) • A  1.35 mOhm-cm2
RDS(on) • Eoss  0.78 Ohm-uJ
RDS(on) • Coss,tr 4.5 Ohm-pF
RDS(on) • Qg 0.9 Ohm-nC



23, 30, 53 및 70mΩ의 RDS(on) 값을 나타내는 모든 제품은 업계 표준 TO-247-4L 패키지로 제공되어 보다 높은 성능 레벨에서도 저잡음의 스위칭을 제공한다. 53 및 70mΩ 제품의 경우, TO-247-3L 패키지로도 제공된다. 이번 신제품은 소결 다이 부착 방식(silver-sinter die attach) 및 최신 웨이퍼 박형 공정을 통해, 우수한 발열 성능을 기반으로 신뢰성을 확보하고 있다.

모든 1200V SiC FET는 다양한 AC/DC 및 절연/비절연 DC/DC 컨버터 토폴로지에 사용되는 디바이스의 효율, 부품 손실, 접합 온도 상승을 즉시 평가할 수 있는 무료 온라인 설계 도구인 FET-Jet Calculator에 포함되어 있다. 또한 최적의 솔루션 구현을 위해, 사용자가 지정한 히트싱크 조건에서 단일 및 병렬 디바이스를 비교할 수 있다.



[AEM] Automotive Electronics Magazine


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