인피니언 테크놀로지스(Infineon Technologies)가 3.3 mm x 3.3 mm PQFN 패키지로 제공되는 25 V~150 V의 새로운 OptiMOS™ 소스-다운(Source-Down) 전력 MOSFET을 출시했다.

하단면 냉각 및 양면 냉각 구성의 새로운 전력 MOSFET 제품군은 높은 성능의 DC-DC 전력 변환을 위한 솔루션으로 서버, 텔레콤, OR-ing, 배터리 보호, 전동 공구, 충전기 등의 애플리케이션을 지원한다.

이들 제품은 소스-다운 개념을 적용해 MOSFET 다이 소스 단자가 패키지 풋프린트를 향하도록 뒤집어서 PCB에 납땜한다. 인피니언은 이들 제품이 드레인 단자를 위한 클립 디자인을 향상시키고 시장을 선도하는 칩-대-패키지 면적 비율을 자랑한다고 소개했다.

시스템 폼팩터가 계속해서 축소되면서 전력 손실을 낮추고 열 관리를 최적화하는 것이 중요하다. 인피니언에 따르면, 이들 제품은 PQFN 3.3 mm x 3.3 mm 드레인-다운 디바이스 대비 온 저항(R_DS(on))을 최대 25% 향상시킨다. 인피니언의 OptiMOS 소스-다운 PQFN 양면 냉각 제품은 향상된 열 인터페이스를 제공해 스위치의 전력 손실을 방열판으로 전달한다. 양면 냉각 제품은 가장 직접적인 경로로 전력 스위치를 방열판에 연결하므로 하단면 냉각 소스-다운 제품 대비 전력 소모 능력을 3배까지 높인다고 한다.

또한, 두 가지 풋프린트 버전을 제공하므로 PCB 배선을 위한 유연성을 높인다. 표준 게이트 제품은 기존 드레인-다운 디자인을 쉽고 빠르게 변경할 수 있다. 센터 게이트 제품은 디바이스들을 병렬로 연결해 드라이버-대-게이트 연결을 최대한 짧게 할 수 있다. 인피니언은 최대 298 A에 이르는 높은 연속 전류를 제공하는 25 V~150 V OptiMOS 소스-다운 제품을 사용해 최대의 시스템 성능을 달성할 수 있다고 강조했다.