텍사스 인스트루먼트(TI)가 유타 주 리하이에 새로운 300 mm(12인치) 반도체 웨이퍼 제조공장(팹, Fab) 건설 계획을 발표했다.
새로운 팹은 리하이에 위치한 기존 300 mm 반도체 웨이퍼 팹인 LFAB 옆에 위치할 예정이며, 완공 후 두 팹은 하나의 팹으로 통합돼 운영될 예정이다.
TI의 현 총괄 부사장 및 COO이자 차기 신임 사장 겸 CEO로 선임된 하비브 일란(Haviv Ilan)은 “이번에 신설되는 팹은 자체 제조 역량을 강화하기 위한 TI의 장기적인 300 mm 제조 로드맵의 일부로, 향후 수십 년에 걸쳐 예상되는 고객의 수요에 대비할 예정”이라며, “이번 신규 팹 건설 계획은 유타 주 지역에 대한 TI의 헌신을 대변하는 동시에 유타 주의 역량 있는 인재들이 TI가 맞을 또 한 번의 중요한 모멘텀에서 성장의 동력이 되어 줄 것으로 기대한다. 특히 산업용과 자동차 등 전자기기 분야에서 반도체 업계의 큰 성장이 예상되고 ‘반도체 지원법(CHIPS Act)’이 통과됨에 따라 TI의 내부 제조 역량 투자를 확대할 적기라고 판단했다.”라고 전했다.
이번 투자는 유타 주 역사상 가장 큰 규모로, 110억 달러에 이른다. 리하이 팹 확장은 약 800개의 추가적인 TI 내부 일자리와 수천 개의 간접적인 일자리를 창출할 것으로 예상된다. TI는 알파인 학구와의 파트너십 강화를 기대하고 있으며, 학생들에게 다양한 기회를 제공하기 위해 900만 달러를 투자할 예정이다.
이 팹은 건축물의 구조 효율성과 지속가능성을 평가하는 LEED(Leadership in Energy and Environmental Design) 건축물 인증 제도의 상위 등급인 "LEED 골드(Gold)” 기준을 충족하도록 설계될 예정이다. 리하이에 위치한 첫 번째 팹 대비 재활용하게 될 물의 비율은 약 두 배에 이른다. TI는 리하이의 첨단 300 mm 장비와 공정을 통해 칩 하나에 사용되는 폐기물과 물, 에너지의 소모를 절감하는 데 기여할 것으로 기대하고 있다.
신규 팹은 2023년 하반기에 착공하여 이르면 2026년에 생산을 시작할 수 있을 것으로 예상된다. 건설 비용은 TI가 이전에 발표한 제조 역량 확장을 위한 자본 지출 계획에 포함돼 있다. 리하이의 두 번째 팹은 TI의 기존 300 mm 팹인 텍사스 주 댈러스의 DMOS6, 텍사스 주 리차드슨에 위치한 RFAB1과 RFAB2, 유타 주 리하이의 첫 번째 팹인 LFAB을 보완하는 역할을 하게 된다.
한편, TI는 텍사스 주 셔먼에도 4개의 새로운 300 mm 웨이퍼 팹을 건설하고 있다.
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