마이크로칩, 고전압 SiC 모듈용 PnP 게이트 드라이버
3.3kV XIFM 플러그앤플레이 mSiC 게이트 드라이버 ... 설계 및 평가 시간 단축
2024-02-23 온라인기사  / 윤범진 기자_bjyun@autoelectronics.co.kr


마이크로칩테크놀로지(아시아 총괄 및 한국대표: 한병돈)는 개발자가 SiC 솔루션 구현과 개발 프로세스를 단축할 수 있도록 3.3kV XIFM 플러그앤플레이(plug-and-play, PnP) mSiC™ 게이트 드라이버를 출시했다.

이 게이트 드라이버는 특허받은 어그멘티드 스위칭(Augmented Switching™) 기술을 탑재했으며 즉시 동작할 수 있도록 다양한 모듈 설정을 사전에 구성해 설계 및 평가 시간을 크게 단축시킨다. 

이 플러그 앤 플레이 솔루션은 시장 출시 기간을 단축하기 위해 게이트 드라이버 회로의 설계, 테스트, 인증 등 복잡한 개발 작업을 완료했다. XIFM 디지털 게이트 드라이버는 디지털 제어, 통합 전원공급장치, 노이즈에 대한 내성을 향상시키는 견고한 광섬유 인터페이스를 갖춘 소형 솔루션이다. 이 게이트 드라이버는 모듈 성능 최적화를 위해 미리 맞춤형으로 설정된 '턴 온/오프' 게이트 드라이브 프로파일을 제공한다.

이 게이트 드라이버는 주 변압기(primary)와 보조 변압기(secondary) 사이에 10.2 kV의 강화 절연을 통합했으며, 온도 및 DC 링크 모니터링, 저전압 차단(Undervoltage Lockout, UVLO), 과전압 차단(Overvoltage Lockout, OVLO), 단락/과전류 보호(Desaturation Protection, DESAT), 부 온도계수(Negative Temperature Coefficient, NTC) 등의 모니터링 및 보호 기능을 갖추고 있다. 또한, 철도 애플리케이션의 핵심 사양인 EN 50155을 준수한다.

마이크로칩 실리콘카바이드 사업부 클레이턴 필리온(Clayton Pillion) 부사장은 “실리콘카바이드 시장이 지속적으로 성장하면서 더욱 높은 전압에서 작동할 수 있는 기술이 요구되고 있으며, 이를 위해 마이크로칩은 3.3 kV 플러그앤플레이 mSiC 게이트 드라이버와 같은 턴키 솔루션을 통해 전력 시스템 개발자가 와이드밴드갭 기술을 더욱 쉽게 도입할 수 있도록 지원한다”라며 “이 솔루션은 모든 게이트 드라이브 회로가 미리 설정돼 있어 기존 아날로그 솔루션 대비 설계 주기를 최대 50%까지 단축할 수 있다”라고 말했다.



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