인피니언, 차세대 SiC MOSFET 출시

인피니언 테크놀로지스(Infineon Technologies, 코리아 대표이사 이승수)는 차세대 실리콘 카바이드(SiC) MOSFET 트렌치 기술을 출시한다고 11일 밝혔다.

인피니언 CoolSiC™ MOSFET 650 V 및 1200 V 2세대 제품은 이전 세대 대비 품질과 신뢰성 수준은 그대로 유지하면서 저장 에너지와 전하 같은 MOSFET 주요 성능을 최대 20% 개선하여 에너지 효율을 높이고 탈탄소화에 기여한다.
 

CoolSiC MOSFET 2세대(G2) 기술은 실리콘 카바이드의 고유한 성능 이점을 활용해서 에너지 손실을 낮추고 전력 변환 시 더 높은 효율을 달성한다. 이를 통해 태양광, 에너지 저장, DC EV 충전, 모터 드라이브, 산업용 전원장치 등 다양한 전력반도체 애플리케이션에 적합하다. 예컨대 전기차 DC 급속 충전기에 CoolSiC G2를 사용하면 이전 세대 대비 전력 손실을 최대 10%까지 낮출 수 있으면서 폼팩터를 키우지 않고 충전 용량을 높일 수 있다. 트랙션 인버터에 CoolSiC G2 디바이스를 채택하면 전기차 주행거리를 늘릴 수 있다. 신재생 에너지 분야에서 태양광 인버터에 CoolSiC G2를 채택하면 높은 출력을 유지하면서 크기를 줄일 수 있어 와트당 비용을 낮출 수 있다.

고성능 CoolSiC G2 솔루션을 구현한 인피니언의 CoolSiC MOSFET 트렌치 기술은 최적화된 디자인을 통해서 기존 SiC MOSFET 기술 대비 더 높은 효율과 신뢰성을 제공한다. 또한, CoolSiC G2 기반 디자인에 기술상을 수상한 .XT 패키징 기술을 결합하여 더 높은 열전도성, 더 우수한 어셈블리 관리, 향상된 성능을 구현할 수 있다.

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