로옴(ROHM)은 TSMC와 차량용 GaN (gallium nitride) 전력반도체의 개발 및 양산에 관한 전략적 파트너십을 체결했다고 10일 밝혔다.
로옴은 자사의 GaN 소자 기술과 TSMC의 GaN-on-Silicon 공정 기술을 융합함으로써 고전압 및 고주파 특성이 우수한 전력 소자의 수요 증가에 대응할 수 있게 되었다.
이번 파트너십은 로옴과 TSMC가 GaN 전력반도체 분야에서 쌓아온 협력 역사를 기반으로 한다. 2023년에 로옴은 EcoGaN™ 시리즈의 일부로서 델타 일렉트로닉스(Delta Electronics, Inc.) 브랜드인 Innergie의 45W AC 어댑터 'C4 Duo'를 포함해 컨슈머 및 산업용 기기에서 점점 더 많이 사용되고 있는 TSMC의 650V GaN HEMT (High-Electron Mobility Transistors) 공정을 채택했다.
로옴의 카츠미 아즈마(Katsumi Azuma) 이사 전무 집행 임원은 "고주파 동작이 가능한 GaN 소자는 소형 및 저전력으로 탈탄소 사회의 실현에 기여할 수 있어 크게 주목받고 있습니다. 이를 사회에 보급하기 위해서는 신뢰할 수 있는 파트너가 중요하기 때문에, 세계 최고의 최첨단 제조 기술을 보유한 TSMC와 협력할 수 있어 매우 기쁘게 생각합니다. 이번 파트너십과 더불어 GaN의 성능을 최대한 이끌어낼 수 있는 제어 IC를 포함해 사용이 편리한 GaN 솔루션을 제공함으로써 자동차 분야에서 GaN 보급을 촉진해 나갈 것입니다"라고 말했다.
TSMC의 리젠싱(Chien-Hsin Lee) 특수 기술 사업 개발 담당 수석 디렉터는 "차세대 GaN 공정 기술을 발전시키면서, TSMC와 로옴은 차량용 GaN 전력 소자의 개발과 제조로 협력 범위를 확대했습니다. TSMC의 고도 반도체 제조 기술과 로옴의 전력 소자 설계 기술을 융합함으로써 GaN 기술의 한계를 뛰어넘어 전기차로의 탑재를 추진해 나가고자 합니다"라고 말했다.
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