ST, SDV용 xMemory 탑재 ′스텔라′ MCU 출시
ST의 상변화 메모리(PCM) 기술 기반의 영구 확장 가능한 xMemory, 올 후반부터 양산 예정
2025-04-22 온라인기사  / 윤범진 기자_bjyun@autoelectronics.co.kr

ST마이크로일렉트로닉스(STMicroelectronics, 이하 ST)는 자사의 차량용 마이크로컨트롤러(MCU) 제품군인 스텔라(Stellar)에 확장형 내장 메모리인 xMemory를 탑재한 차세대 제품인 xMemory 기반 스텔라(Stellar with xMemory)를 출시했다. 
 



xMemory 기반 스텔라는 확장형 메모리를 갖춘 단일 디바이스를 통해 효율적이고 경제적인 솔루션을 제공한다. 이러한 간단한 접근방식은 자동차 제조사가 개발 초기부터 향후 추가적인 혁신 여지를 확보하면서도 설계를 미래 지향적으로 구현할 수 있도록 해주며, 개발 비용을 절감하고 공급망을 간소화해 제품 출시 일정을 앞당길 수 있다. xMemory 기반 스텔라는 전기자동차(EV)의 새로운 드라이브트레인과 아키텍처를 위해 설계된 스텔라 P6 MCU에 처음 적용됐으며, 올 하반기에 대량생산에 돌입할 예정이다.

자동차 제조사는 플랫폼 전반에 걸쳐 재사용을 극대화하고, 차량 수명을 연장하며 디지털 기능을 향상시키기 위해 소프트웨어와 하드웨어를 원활하게 통합할 수 있어야 한다. 하지만 새로운 기능과 규제, 많은 메모리를 요구하는 AI 및 머신러닝 애플리케이션, OTA(Over-the-Air) 업데이트의 확산으로 인해 소프트웨어의 복잡성이 증가하면서 메모리가 병목 지점이 되고 있다. ST의 xMemory는 개발 단계는 물론, 차량이 출고된 이후에도 가용 메모리를 확장해 제한 없이 애플리케이션 업그레이드를 가능하게 함으로써 이러한 문제를 해결한다.

SDV의 수명주기 초기에 적절한 MCU를 선택하면, 미래의 소프트웨어 개발에 충분한 온칩 메모리를 확보할 수 있다. 하지만 과도한 사양의 메모리를 지정하면 비용이 증가하고, 반대로 과소 지정하면 추후 추가 메모리를 갖춘 다른 MCU를 찾아 재검증해야 하므로 복잡성, 비용, 지연이 발생할 수 있다. xMemory를 탑재한 스텔라 MCU는 경쟁력 있는 가격으로 추가 비용을 절감하고, OEM 공급망을 단순화하며, 제품 수명을 연장하고, 프로젝트 간 재사용을 극대화해 인증 및 검증에 소요되는 시간을 줄임으로써 시장 출시 기간을 단축할 수 있다. 

한편, ST는 차량용 MCU를 위해 플래시(Flash) 메모리에서 임베디드 비휘발성 메모리(embedded Non-Volatile Memory, eNVM) 기술로의 전환을 선도해 왔으며, 자동차 애플리케이션에 적합한 최초의 28nm eNVM을 도입했다. 이 기술은 xMemory의 핵심을 이루고 있다. ST의 내장형 상변화 메모리(embedded Phase-Change Memory, ePCM)는 RRAM, MRAM, 플래시와 같은 다양한 비휘발성 메모리 기술 중에서도 전력 효율, 성능, 면적 측면에서 가장 뛰어난 PPA(Power, Performance, Area) 지수를 자랑한다.

업계에서 가장 작은 eNVM 셀 크기로 구현된 이 PCM은 18nm, 28nm 공정 노드로 제조되며, 다른 기술 대비 두 배의 메모리 밀도를 제공한다. 

최신 세대의 PCM 기술은 향후 출시될 모든 Arm® 기반 차량용 MCU인 스텔라 P와 스텔라G 시리즈에 적용될 예정이다. 스텔라 제품군은 자동차 애플리케이션에 특화돼 있으며, 차량 전장 아키텍처를 단순화함으로써 더 높은 전력 효율, 유연성, 안전성을 제공한다. 스텔라 MCU 포트폴리오는 중앙 집중식 존(Zone) 및 도메인(Domain) 컨트롤러와 바디 애플리케이션을 위한 스텔라 통합 MCU (스텔라 P 및 스텔라 G 시리즈)를 포함하며, 이는 기존의 여러 개의 개별 통신 및 제어 ECU 기능을 하나로 통합한다. 또한, EV 트랙션 모듈의 전력 변환 제어에 최적화된 스텔라 전동화 MCU (스텔라 E 시리즈)도 포함돼 있다.



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