로옴(ROHM)은 안정성과 시뮬레이션 속도를 향상시킨 SPICE 모델 ROHM Level 3(L3)을 개발했다고 29일 발표했다.

파워 반도체의 손실은 시스템 전체의 효율에 큰 영향을 미치기 때문에, 설계 단계에서의 시뮬레이션 검증 시 모델의 정밀도가 중요하다. 기존에 로옴이 제공해 온 SiC MOSFET용 SPICE 모델 ROHM Level 1(L1)은 각 특성의 재현성을 높여 고정밀도 시뮬레이션의 요구에 대응해왔지만, 시뮬레이션의 안정성과 연산 시간의 단축이라는 과제에 대한 개선이 요구돼왔다.

이번에 새롭게 발표된 ROHM Level 3은 심플한 모델 식을 채용해 연산의 안정성과 스위칭 파형의 정밀도를 유지하면서, 기존 모델인 L1 대비 약 50%의 시뮬레이션 시간 단축을 실현했다. 이에 따라, 회로 전체의 과도 해석을 단시간에 고정밀도로 실행할 수 있어, 애플리케이션 설계 단계에서의 디바이스 평가 및 손실 확인의 효율화에 기여한다. 

ROHM Level 3의 제4세대 SiC MOSFET 모델(37기종)은 2025년 4월부터 로옴 웹사이트에서 공개 중이며, 제품 페이지에서 내려받을 수 있다. 또한, 새로운 모델 L3 제공과 함께 기존 모델도 지속적으로 제공하며, 사용 방법을 설명한 화이트페이퍼도 함께 게재되어 도입을 지원하고 있다.