인피니언, Q-DPAK CoolSiC™ MOSFET 1200V G2 출시

인피니언 테크놀로지스가 고신뢰성 산업용 애플리케이션에 최적화된 CoolSiC™ MOSFET 1200V G2 제품을 출시했다. 이 제품은 상단 냉각(Top Side Cooling, TSC) 방식의 Q-DPAK 패키지로 제공되며 전기차(EV) 충전기, 태양광 인버터, UPS(무정전 전원 장치), 모터 드라이브, 솔리드스테이트 회로 차단기 등 높은 성능과 신뢰성이 요구되는 분야에 적합하도록 설계됐다.
 

CoolSiC 1200V G2는 이전 세대 대비 스위칭 손실을 최대 25%까지 줄이고, 시스템 효율은 최대 0.1% 향상시킬 수 있다. 인피니언의 독자적인 .XT 실리콘 접합 기술을 적용해 열 성능 역시 크게 개선됐다. G1 제품군 대비 15% 이상 낮은 열 저항과 11% 낮은 MOSFET 온도를 구현했으며, 4mΩ에서 78mΩ까지 폭넓은 R_DS(on) 범위를 제공하여 애플리케이션에 따라 최적의 시스템 성능 구현이 가능하다. 또한, 이 디바이스는 과부하 상태에서 최대 200℃의 접합 온도(Tvj)를 지원하며, 전기적 잡음 환경에서도 높은 내성을 발휘해 안정적인 작동을 보장한다. 기생 성분으로 인한 원치 않는 턴온(turn-on)을 효과적으로 억제하는 특성 역시 고속 스위칭 환경에서 중요한 장점이다.

CoolSiC MOSFET 1200V G2는 싱글 스위치와 듀얼 하프 브리지 구성으로 Q-DPAK 패키지로 제공된다. Q-DPAK은 칩 상단에서 방열판으로 직접 열을 전달하는 구조를 채택해 기존 하단 냉각 방식 대비 향상된 열 전달 효율을 제공하며, 더 작고 효율적인 시스템 설계를 가능케 한다. 특히 패키지 구조는 고속 스위칭 시 문제가 되는 기생 인덕턴스를 최소화해 전압 오버슈트 발생 가능성을 낮추고 전반적인 시스템 안정성을 높인다.
Q-DPAK의 소형 풋프린트는 컴팩트한 기기 설계를 용이하게 만들며, 자동화된 납땜 공정에 적합해 생산성과 비용 효율성을 동시에 확보할 수 있다.

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