인피니언과 로옴은 SiC 전력 반도체용 일부 패키지를 세컨드 소스로 공급하고, 향후 GaN까지 확대할 계획이다.
왼쪽: 피터 바버 박사(Dr. Peter Wawer, 인피니언 친환경 산업용 전력 사업부 사장), 오른쪽: 카즈히데 이노 박사(Dr. Kazuhide Ino, 로옴 이사회 멤버 겸 전력 디바이스 사업 담당 전무 집행임원)
인피니언 테크놀로지스와 로옴(ROHM)이 실리콘 카바이드(SiC) 전력 반도체 패키지 개발 협력을 위한 양해각서(MOU)를 체결했다고 26일 밝혔다.
양사는 특히 SiC 전력 소자용 패키지의 세컨드 소스(second source) 확보에 초점을 맞추고, 상호 협력을 통해 고객사의 설계 및 조달 유연성을 강화할 방침이다. 이에 따라 고객은 인피니언과 로옴에서 호환 가능한 하우징의 소자를 공급받을 수 있게 된다.
인피니언 친환경 산업용 전력 사업부 피터 바버(Peter Wawer) 사장은 “로옴과의 협력으로 SiC 파워 스위치 시장 확대를 한층 가속화할 수 있을 것”이라며 “고객사는 설계와 조달 과정에서 더 많은 선택지를 확보해 고효율 애플리케이션을 개발하고, 탈탄소화 추진을 앞당길 수 있을 것”이라고 밝혔다.
이번 협력의 일환으로 로옴은 인피니언의 상단면 냉각 플랫폼을 채택한다. TOLT, D-DPAK, Q-DPAK, Q-DPAK 듀얼, H-DPAK 패키지를 포함한 인피니언의 SiC용 상단면 냉각 플랫폼은 모든 패키지에 대해 2.3mm의 표준화된 높이를 제공한다. 이를 통해 설계 편의성과 냉각 시스템의 비용 절감 효과를 얻을 수 있으며, 보드 공간 활용도를 높여 기존 대비 최대 두 배의 전력 밀도를 구현할 수 있다.
인피니언은 또한 로옴의 SiC 하프 브리지 구성에 사용되는 DOT-247 패키지와 호환되는 패키지를 개발할 계획이다. 로옴의 DOT-247 패키지는 두 개의 TO-247 패키지를 통합한 구조를 특징으로 하며, 기존 TO-247 대비 약 15% 낮은 열 저항과 50% 감소된 인덕턴스를 통해 2.3배 높은 전력 밀도를 제공한다.
양사는 앞으로 협력 범위를 다른 패키지로도 확대해 다양한 솔루션과 소싱 옵션을 고객에게 제공한다는 계획이다.
AEM(오토모티브일렉트로닉스매거진)
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