인피니언 테크놀로지스가 100% 무연 전력 MOSFET을 TO 패키지 타입으로 출시했다.
혁신적인 패키징 기술과 인피니언의 박막 웨이퍼(thin wafer) 공정 기술을 통합한 신형 40V OptiMOS T2 전력 MOSFET은 최상의 사양을 제공한다. 인피니언은 확산 솔더링 다이 부착 방식(diffusion soldering die attach approach)을 사용해 TO-220, TO-262, TO-263 등을 포함한 무연 패키지를 생산하고 있다. 패키지 형태, 다이 패드 두께, 칩 크기 등과 관련한 특수한 요구사항들 때문에 확산 솔더링 다이 부착 방식은 현재 이러한 3가지 패키지 형태에만 적합하다.

신형 시리즈를 통해 인피니언은 실리콘 칩을 패키지에 부착하는데 사용되는 납-기반 솔더와 관련한 현행 RoHS(Restriction on Hazardous Substances) 지침을 초과 달성했다. 2014년 이후로 시행이 유보되어 있는 보다 엄격한 ELV RoHS 지침은 100% 무연 패키징을 요구하고 있다. 납을 제거한 업계 최초의 MOSFET로서 신형 인피니언 디바이스는 고객들이 이러한 보다 엄격한 요구사항들을 충족시킬 수 있도록 지원한다.

인피니언의 특허기술인 무연 다이 부착(칩과 패키지 리드프레임 사이의 인터커넥션)은 확산 솔더링 접근법을 사용하여 전기 및 열 성능, 제조 용이성, 품질 등을 향상시킬 수 있도록 지원한다. 이 다이 부착 기술을 인피니언의 박막 웨이퍼 공정(표준 175μm 대비 60μm)과 결합함으로써 전력 반도체를 다음과 같이 다양하게 개선할 수 있다. 확산 솔더링 다이 부착 공정과 박막 웨이퍼 기술을 통합함으로써 디바이스의 RDS(on)이 대폭 감소된다. 열 저항(RthJC)이 최대 40%에서 50%까지 향상된다. 전통적인 납-기반 소프트 솔더 재료들은 열 전도성이 열악하고 MOSFET 접합 시에 발생하는 열에 대한 열 장벽으로 작용하기 때문이다. www.infineon.com/automotivemosfet.